天眼查App显示，2025年5月13日，「一种低阻高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法」正式进入专利权的授权阶段。申请人为泰科天润半导体科技（北京）有限公司，该项半导体器件专利涉及低阻高可靠的沟槽栅碳化硅VDMOS技术及制备方法。据专利信息显示，通过优化掩蔽层和埋层结构设计，实现了器件低阻与高可靠的兼具，技术效果显著优化。发明人为何佳、周海、单体玮、胡臻。

本发明提供了一种低阻高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法，包括在碳化硅衬底下侧面淀积金属形成漏极金属层，在碳化硅衬底上侧面外延生长形成漂移层，进一步通过刻蚀、离子注入等工艺形成掩蔽层、埋层、P型阱区、P型源区及N型源区，并重新形成阻挡层、刻蚀、氧化以构建绝缘介质层上的沟槽，最后形成栅极金属层及源极金属层。该技术为碳化硅功率器件的性能提升提供了新的解决方案。

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