天眼查App显示，2025年5月13日，「一种半导体结构的制备方法和半导体结构」正式进入专利公布阶段。申请人为合肥晶合集成电路股份有限公司，该项半导体技术专利涉及半导体器件制造领域。据专利信息显示，该发明通过预设干法刻蚀产生的第二负载效应与化学机械研磨的第一负载效应互为反向，显著优化了研磨过程中的负载效应，同时原子层刻蚀技术的应用减少了缺陷产生，提升了制备精度。发明人为罗琦、宋富冉、周儒领。 「本发明涉及一种半导体结构的制备方法和半导体结构，涉及半导体技术领域，通过对栅极材料层进行化学机械研磨及干法刻蚀等工艺改进，有效改善了负载效应并减少缺陷生成，从而提高了半导体结构的性能和可靠性。」

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