天眼查App显示，2025年5月16日，「一种消除天线效应的收集电子保护环版图结构」正式进入专利权的授权阶段。申请人为北京伽略电子股份有限公司，该项集成电路专利涉及消除天线效应的技术应用场景。据专利信息显示，该技术实现了显著优化的效果，发明人为勇智强、岳一伦、孙德玉。本实用新型提供一种消除天线效应的收集电子保护环版图结构，包括从上到下依次连接的待消除天线效应金属层、P型外延层、N阱、深N阱、NBL埋层和衬底；待消除天线效应金属层为经过保护环的信号线，N阱、深N阱和NBL埋层共享同一点位；P型外延层与N阱、深N阱、NBL埋层形成PN结二极管。本实用新型在版图结构中加入反型的P型注入外延层，在收集电子保护版图结构的同时形成PSD/N阱/DNW/NBL二极管，实现消除天线效应的功能；本实用新型将通常使用的收集电子保护环与消除天线效应的二极管相结合，提高面积效率的同时提高了集成电路的安全性、可靠性，在提高面积效率的同时，高效地消除天线效应，提高了集成电路的稳定性。

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