天眼查App显示，2025年5月16日，「超低衰减射频同轴电缆与漏泄同轴电缆及其制备方法」正式进入专利权的授权阶段。申请人为长飞光纤光缆股份有限公司和武汉长飞通用电缆有限公司，该项无线通信技术专利涉及射频同轴电缆与漏泄同轴电缆的制备方法及优化技术。据专利信息显示，采用该方法制备的射频同轴电缆与漏泄同轴电缆在100MHz-3700MHz频段范围的衰减值相较于现有常规工艺平均优化了约13.3%。发明人为史文凯、王念立、李申月、邱石和张乐。本申请通过三层共挤技术制备泡沫层，并调整各层发泡材料中发泡气体的注气压力以及挤出压力，最终实现泡沫层发泡度达到85%及以上，且气孔孔径分布均匀，从而有效降低介电常数和信号传输衰减，在保持标准要求电缆抗压强度的前提下显著优化性能。

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