天眼查App显示，2025年6月3日，「基于堆叠HTCC基板与无介质金属互联结构的高功率SiP封装」正式进入专利公布阶段。申请人为浙江臻镭科技股份有限公司，该项半导体封装专利涉及高功率SiP封装技术领域。据专利信息显示，该发明通过优化设计实现了信号传输路径与功能路径之间的隔离，显著优化了高功率层和多功能层的堆叠效果。发明人为张静静、王恒、谭飞。本发明提供的基于堆叠HTCC基板与无介质金属互联结构的高功率SiP封装，其包括：相对设置的高功率层和多功能层；高功率层和多功能层均包括HTCC基板，HTCC基板上设有至少一个腔室，对应层的电路器件容纳于腔室中，使得各层的电路相互独立，且各层功能得到最大化；在HTCC基板上还设有多个射频Pin针和信号Pin针组；高功率层和多功能层上的多个射频Pin针和信号Pin针组对应设置，通过BGA焊球连接，从而实现堆叠设计与信号隔离的双重优势。

免责声明：本文内容由开放的智能模型自动生成，仅供参考。