近日，第31届半导体年度奖颁奖典礼在日本东京举行。中国半导体材料企业天岳先进凭借碳化硅衬底材料技术突破，荣获“半导体电子材料”类金奖。

这是中国企业首次问鼎该奖项，也是其历史上首次将最高荣誉授予碳化硅衬底材料技术。半导体年度奖由日本权威媒体《电子器件产业新闻》主办，旨在表彰全球设备、器件及材料领域的技术创新。

天岳先进的获奖源于其在碳化硅衬底材料技术的持续突破。碳化硅作为第三代半导体核心材料，其品质与制备技术对新能源汽车、特高压输电、5G/6G通信等产业发展至关重要。

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