天眼查App显示，2025年6月13日，「一种单向低容瞬态电压抑制保护器件」正式进入专利公布阶段。申请人为上海韦尔半导体股份有限公司，该项电子元件专利涉及瞬态电压抑制保护技术领域。据专利信息显示，该发明显著优化了负端钳位电压过高以及封装尺寸限制的问题。发明人为李登辉、许成宗和刘凯哲。

本发明实施例提供了一种单向低容瞬态电压抑制保护器件，在衬底上生长第一外延层，然后在第一外延层进行离子注入形成第一注入区，再在第一外延层上生长第二外延层，再在第二外延层上进行离子注入形成第二注入区、第三注入区和第四注入区，最后在第三注入区进行离子注入形成第五注入区和第六注入区，在第四注入区进行离子注入区形成第七注入区，最终形成横向由右往左的SCR结构和从下往上的NPN结构或者从下往上的NP结构。此方法解决了现有双向NPN特性抑制保护器件负端钳位电压过高、对后端产品防护效果不佳的问题，同时也克服了目前通过封装串联结构实现单向NPN特性瞬态电压抑制保护器件时封装尺寸受限的问题。

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