天眼查App显示，2025年6月13日，「静电放电保护电路、静电放电的保护方法」正式进入专利公布阶段。申请人为合肥晶合集成电路股份有限公司，该项半导体技术专利涉及静电放电保护电路及方法。据专利信息显示，该技术能够有效降低第二PMOS发生栅漏击穿的风险，显著优化静电放电保护电路的可靠性。发明人为朱骏、郑晓、付凯豪、陈东和王晓娟。 「静电放电保护电路包括电流泄放模块和驱动模块，其中第一NMOS用于在导通状态下对静电放电脉冲进行电流泄放；驱动模块提供第一NMOS导通所需的栅极电压，并通过上拉模块拉高第二PMOS的漏极电位，从而提升整体电路可靠性。」

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