天眼查App显示，2025年6月20日，「一种均匀开启的GGNMOS结构」正式进入专利公布阶段。申请人为上海川土微电子有限公司，该项半导体器件专利涉及新一代微电子技术应用。据专利信息显示，该技术实现了显著优化的导通均匀性，突破性地解决了现有的多指GGNMOS导通不均匀的问题。发明人为郑瑞、沈国平、房祥梅和陈东坡。

「一种均匀开启的GGNMOS结构」包括P型well掺杂类型阱区、环形P型重掺杂有源区、环形N型重掺杂有源区、N型well掺杂类型阱区、条形N型重掺杂有源区、环形多晶硅栅和中间P型重掺杂有源区。其设计使得结构能够较容易地击穿产生雪崩电流，同时迅速进入均匀的开启状态，为高性能半导体器件提供了技术支持。

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