长鑫集电(北京)存储技术有限公司一种掩膜版图形、掩膜版结构及半导体结构的制备方法专利公布(半导体制造专利快讯)

天眼查App显示,2025年8月19日,「一种掩膜版图形、掩膜版结构及半导体结构的制备方法」正式进入专利的公布阶段。申请人为长鑫集电(北京)存储技术有限公司,该项摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术〔4〕专利涉及半导体制造领域。据专利信息显示,该方案在预设方向上实现图形尺寸与节距的精确控制,技术效果数据提升达显著优化。发明人为许威。本公开实施例提供了一种掩膜版图形、掩膜版结构及半导体结构的制备方法,其中,掩膜版图形包括主图形阵列和预设图形阵列,主图形阵列包括多个沿第一方向和第二方向排布的主图形,主图形阵列至少包括位于主图形阵列的边缘的第一图形阵列,第一图形阵列包括分别位于主图形阵列最外侧和次外侧的基准主图形和次基准主图形。预设图形阵列位于第一图形阵列的至少一侧且包含多个预设图形,在预设方向上,预设图形的尺寸小于基准主图形的尺寸,第一节距小于第二节距;其中,预设方向包括第一方向和第二方向中的至少一者,且在预设方向上,预设图形阵列与第一图形阵列之间的间距小于同一方向上的第二节距。

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