群联电子董事长潘健成表示，Flash芯片价格自2026年1月起涨幅近一倍，部分单日涨幅达50%，对应单价上涨超12元；其预判二季度NAND合约价将再涨70%-75%，企业级SSD及高容量NAND涨价将持续至2027年底新产能大规模释放。CFM闪存市场数据显示，2026年一季度原厂服务器及PC端NAND、DRAM合约价均呈翻倍式增长；Mobile NAND与DRAM合约价预计二季度补涨超85%；服务器与PC DRAM合约价涨幅超30%；企业级与消费级SSD平均销售价格（ASP）分别上涨超30%和50%。铠侠中国区董事长冈本成之指出，AI技术快速发展正推动存储需求快速增长，供需环境短期内不会显著改变，多家原厂正集中扩充产能以满足AI算力需求。

与此同时，现货零售市场呈现明显降温：2026年一季度末，渠道8GB与16GB DDR4内存条价格跌幅超25%，32GB DDR4及DDR5跌幅约10%，渠道SSD亦小幅回调。贸易商因前期囤货账面浮盈可观、终端成交困难而集中抛售，形成“踩踏式”出货。群联电子内部人士解释，价格波动主因终端消费者承受能力已达临界点，但结构性需求未减弱，产能正加速向AI云厂商及算力行业倾斜。当前NAND与DRAM的增量需求主要来自AI基础设施建设与推理应用，与传统PC、手机等消费端无直接关联。

闪存市场总经理邰炜指出，AI服务器对DRAM、SSD及HBM的需求为通用服务器数倍，HBM已成为AI时代关键资源，大容量DDR5成为AI服务器标配，企业级SSD则从容量载体升级为突破算力瓶颈的核心组件。AI服务器渗透率预计2026年突破20%，部分厂商达25%-30%，带动服务器内存需求增速超40%，占全部存储应用比重逾50%；全球半导体存储器市场规模将突破6000亿美元。铠侠SSD首席技术执行官福田浩一表示，AI推理场景下KV Cache扩展、NVIDIA Storage-Next、高容量QLC方案及SSD替代HDD优化TCO构成SSD四大需求方向；单一请求上下文从4k token增至128k token时，KV缓存空间扩大32倍，百并发请求下达TB级，超出HBM承载能力，驱动NVMe SSD需求暴涨；QLC替代HDD需求同步上升，eSSD已成为2026年NAND最大应用市场。SemiAnalysis数据显示，LPDDR5合约价自2025年Q1以来已涨超三倍，2026年Q2公开市场价格或超10美元/GB；2026年超大规模数据中心内存支出占比升至总资本支出约30%，较2023–2024年约8%显著提升，2027年将进一步攀升。

产业链普遍预期涨价周期至少延续至2027年。潘健成称NAND Flash缺货将持续至2027年甚至更久，当前仅能满足客户30%需求，缺口达70%；福田浩一判断AI推理需求爆发致供需失衡延续至2027年底，产能扩张周期需18–24个月，短期无法缓解；邰炜强调此次非周期性反弹，而是长周期范式转移，AI作为底层操作系统，所有应用场景最终归于数据、算力与存储三大要素。其同时预警，消费电子受涨价冲击显著，2026年全球手机出货量预计下滑10%-15%；存储成本终由终端承担，过度透支将影响产业生态。潘健成提醒模组公司库存耗尽后将进入“买贵卖贵”的刚性涨价阶段，建议通过合并与技术投入推动产业良性发展；群联2026年研发投入将达7–8亿美元。行业高管指出，AI服务器已取代智能手机成为存储最大下游市场，云服务商对成本不敏感；存储周期逻辑已从以CPU为中心转向以GPU为中心，需求见顶与否取决于AI创新浪潮是否见顶。

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