高盛称内存涨价持续至2027年中但涨势放缓

高盛顶级科技专家Sean Johnstone指出,内存价格涨势将持续至2027年中期,但上涨速度已放缓。多头认为HBM和DRAM订单已排期至2027年,长期协议设定了价格底线,利润空间仍有70%至80%。空头则指出内存价格的“二阶导数”已转负,峰值或出现在2027年第二或第三季度,随后可能小幅回落。行业高达80%的利润率正促使客户重新设计芯片,影响供需平衡。英伟达正评估降低Rubin Ultra的HBM堆叠与容量,SemiAnalysis测算其单机架HBM成本占比或从近40%压缩至28%。保守投资者已将内存板块市盈率由5倍下调至2至3倍。高盛强调稀缺性阶段已结束,后续涨价空间取决于长期协议是否触发大规模新增产能,以及HBM产能扩张能否抵消DRAM/NAND产能正常化趋势。马斯克指出内存需求增长200%,供应仅增20%,且新增产能集中于HBM而非传统内存。苹果正测试长鑫科技内存芯片以缓解供应压力。

高盛报告还涉及其他科技议题:人工智能时代软件企业分化明显,靠近数据平面、可观测性、代理运行时及开发者工作流的公司股价反弹,纯应用软件供应商估值仍处折价;大型SaaS企业如Intuit和Adobe的季度财报将成为AI变现能力的关键验证;开源模型成本优势显著,Pinterest管理层称其单笔交易成本不足同类闭源模型的8%,多邻国与亚马逊高层亦持类似观点,成本、定制化及数据控制正推动企业采用开源或开源权重模型;超大规模数据中心运营商2027年约35%资本支出或通过债务融资,全球相关债务发行量预计达4000亿美元,股权融资亦持续增长,高盛预期2026年1.4万亿美元股票回购将消化AI公司上市带来的增量供给。

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