近日，哈尔滨工业大学科研团队提出一种新方法，利用远场飞秒激光刻蚀技术，在二维铁电材料上直写纳米沟槽阵列结构。该技术突破分辨率瓶颈，为电子器件集成和纳米光子学发展提供支持。研究成果发表于《自然通讯》。
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