联发科宣布旗下首款采用台积电2nm制程的旗舰SoC已成功完成设计流片,预计将于2026年底量产上市。据产品规划推测,该芯片正是下一代天玑9系旗舰芯片——天玑9600。
台积电2nm工艺首次引入纳米片晶体管结构,带来更优性能与能效表现。联发科指出,相比现有N3E制程,2nm逻辑密度提升1.2倍,在相同功耗下性能提升最高达18%,或在同频下功耗降低约36%。
免责声明:本文内容由开放的智能模型自动生成,仅供参考。
联发科宣布旗下首款采用台积电2nm制程的旗舰SoC已成功完成设计流片,预计将于2026年底量产上市。据产品规划推测,该芯片正是下一代天玑9系旗舰芯片——天玑9600。
台积电2nm工艺首次引入纳米片晶体管结构,带来更优性能与能效表现。联发科指出,相比现有N3E制程,2nm逻辑密度提升1.2倍,在相同功耗下性能提升最高达18%,或在同频下功耗降低约36%。
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