天眼查App显示，导语： 泰科天润半导体科技（北京）有限公司于2025年2月25日公布了其发明专利——一种低阻高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法。该专利旨在提升碳化硅VDMOS的性能和可靠性，具有重要技术意义。

关键点：
- 专利名称： 一种低阻高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法
- 申请时间： 2025年1月22日
- 公布时间： 2025年2月25日
- 申请人： 泰科天润半导体科技（北京）有限公司
- 发明人： 何佳、周海、单体玮、胡臻
- 专利类型： 发明专利
- 专利号： CN202510098633.9
- 公布号： CN119521703A
- 分类号： H10D30/01, H10D30/66, H10D62/10
- 代理机构： 福州市京华专利代理事务所
- 地址： 北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号
- 邮编： 101300

如需了解更多详情，请联系泰科天润半导体科技（北京）有限公司。

免责声明：本文内容由开放的智能模型自动生成，仅供参考。