北京大学量子材料科学中心与中国人民大学合作，成功制备出晶圆级二维硒化铟（InSe）半导体。在刘开辉教授的带领下，该团队采用一种创新的“固-液-固”生长策略，解决了二维半导体制造中的关键难题。

研究成果以“用于集成电子器件的二维硒化铟晶圆”为题发表在《Science》期刊上。研究显示，该InSe半导体展现出优异的电子性能，其晶体管在室温下具有超高的电子迁移率和接近玻尔兹曼极限的亚阈值摆幅，性能超越此前所有二维薄膜器件，为下一代电子器件发展提供了新的材料基础。

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