天眼查App显示，2025年8月1日，「自对准多晶硅单晶硅混合MEMS垂直电极及其制造方法」正式进入专利权的授权阶段。申请人为安徽芯动联科微系统股份有限公司,北京芯动致远微电子技术有限公司，该项微观结构技术专利涉及MEMS垂直电极制造领域。据专利信息显示，该技术通过在单晶硅圆片上刻蚀深槽、氧化单晶硅圆片、淀积多晶硅的方法，实现电极间水平方向的自对准，尺寸精度高、加工重复性好、性能一致性好，且降低了制造成本。发明人为华亚平;苏佳乐。本发明的多晶硅单晶硅混合MEMS垂直电极具有尺寸精度高、加工重复性好、性能一致性好，加工工艺简单的优点，而且由于不需要用到价格较高的SOI圆片，也降低了成本。

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