天眼查App显示，2025年8月1日，「一种改进半导体器件饱和压降的制备方法」正式进入专利的公布阶段。申请人为扬州扬杰电子科技股份有限公司，该项半导体技术专利涉及半导体制备领域中的发射区推进工艺优化。据专利信息显示，该方法通过在发射区推进工艺中引入O2和H2，阻止磷扩散，维持高发射区浓度，提高电子注入效率，同时避免基区掺杂补偿，保持低基区电阻Rb及接触电阻，从而降低饱和压降并提升β值，有助于缩短达到β规格值的时间，提升产能与交付效率。发明人为龚闯、赵晓非、张晓勇、杨成祎、姚旭、王毅。摘要显示，该方案对饱和压降控制实现突破性进展，并有望显著优化半导体器件性能。

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