天眼查App显示，2025年8月5日，「一种半导体器件及其制备方法」正式进入专利的公布阶段。申请人为芯联集成电路制造股份有限公司，该项半导体专利涉及半导体器件结构及其制备工艺。据专利信息显示，该技术通过在衬底上设置低电阻率缓冲层，并在缓冲层上构建超结结构，实现了器件性能的显著优化。发明人为李宝杰、任文珍、丛茂杰、徐旭东。专利摘要披露，该方案通过在超结结构上形成沿预定方向间隔设置的多个栅极结构，优化了器件的导电性能与集成度，为高功率半导体器件提供了突破性进展。摘要内容显示，该技术包括在衬底上形成缓冲层，其中缓冲层电阻率小于衬底电阻率，并在缓冲层上构建包含交替导电类型柱的超结结构，进一步提升了器件的电学特性。

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